TeSeO材料提升半導體功能 引領未來電子技術
電子傳輸在大多數無機半導體中佔主導地位，這限制了互補型器件和電路的發展。香港城市大學（城大）的研究團隊在最近的研究中通過無機共混策略 (inorganic blending strategy)，在增強無機半導體中的正電荷（稱為“空穴”）傳輸方面取得重大進展。研究團隊通過採用創新的無機混合策略，將不同類型的本證p型無機材料組合成一種名為碲硒氧（TeSeO）的化合物，從而實現這一目標。
碲硒氧材料表現出了高度的適應性和可靠性，使其成為應對當前半導體所面臨挑戰的理想解決方案。這一突破為未來構建高性能且低成本的p型器件和電路提供了新的思路。領導是次研究的城大協理副校長（企業）及材料科學及工程學系教授何頌賢教授說：「這項突破為未來創造高性能和具有成本效益的器件和電路開闢了新的可能性。」
何教授續指，研究團隊成功開發出了空氣穩定、遷移率高的碲硒氧薄膜晶體管和柔性光電探測器，其性能優於傳統的p型薄膜半導體，包括金屬氧化物、金屬鹵化物和有機材料。這些新器件表現出卓越的耐用性和性能，為該領域樹立新的標準。
傳統p型半導體中連續調節能帶隙甚具挑戰。然而，通過巧妙地將不同類型的p型無機材料組合，研究團隊成功地調控了碲硒氧的能帶結構，實現了可調的能帶隙，範圍從0.7到2.2電子伏特。
通過無機共混策略，研究團隊調控了碲硒氧的能帶結構，以滿足特定的技術要求。碲硒氧薄膜的可調能帶隙覆蓋了紫外、可見光和短波紅外波長範圍，為高遷移率的p型晶體管、太陽能電池和寬帶光電探測器等應用開闢了令人鼓舞的前景。
何教授說：「我們計劃在未來進一步探索和優化這些應用，充分發揮碲硒氧材料的潛力。 」
相關研究成果已發表於科學期刊《自然通訊》（Nature Communications）上，題為“An inorganic-blended p-type semiconductor with robust electrical and mechanical properties”。
論文第一作者為城大孟優博士、王偉軍博士及范蓉博士。通訊作者為城大何教授、香港大學機械工程系陸洋教授及城大化學系黃駿弦教授。其他合作者包括日本九州大學材料化學與工程研究所的葉晨寶教授。