城大研究团队成功开发高效电化学插层法，能高产量制备TMD纳米薄片

二维（Two-dimensional, 2D）过渡金属二硫化物（transition metal dichalcogenides，简称TMDs）是一类可用作半导体和绝缘体的新兴材料，其独特的特性，令它具有潜力作不同的应用，但是要稳定地制备出这些薄至原子级的二维材料并不容易。由香港城市大学（城大）材料科学家领导的研究团队，成功开发出一种高效的电化学插层方法，能够高产量地制备TMD纳米薄片。此通用的策略为TMD纳米薄片的大规模生产开辟了新方向，以供未来作广泛应用。

该研究团队由城大材料科学及工程学系（MSE）的助理教授曾志远博士领导，并与来自法国蒙彼利埃大学（University of Montpellier）和韩国蔚山国立科学技术院（Ulsan National Institute of Science and Technology, UNIST）的研究人员合作。研究结果已发表于科学期刊《Nature Protocols》上，题为〈High-yield production of mono- or few-layer transition metal dichalcogenide nanosheets by an electrochemical lithium ion intercalation-based exfoliation method〉。

简单且更可控的崭新制备方法

过往，透过一种名为锂离子插层剥离（lithium ion intercalation-based exfoliation）的化学方法，可以制备出TMD纳米薄片。“插层”即是将分子或离子插入具有层状结构的材料之中。基本上，如果每层材料都插入锂离子，那么经过超声震荡剥离后，就可制备出单层的材料；而如果材料只有其中一些分层被嵌入锂离子，就会制备出结构为双层或数层的材料。

然而，这种传统的化学制备方法需要用于高达100°C的较高温度之中，而且需时较久，可能要三天才能制备出纳米薄片。更重要的是，此方法难以控制锂离子的嵌入量。